Description de produit
BSZ100N03MSGATMA1 MOSFET BSZ100N03MS GSP000311510 MSP430F5514IRGCT LPC812M101JD20 Semi-conducteurs discrets
MOSFET
MOSFET de puissance OptiMOS TM3 série M, 30 V
Fonctionnalités
●Optimisé pour l'application du pilote 5V (Notebook, VGA, POL)
● Faible FOMQsw pour SMPS haute fréquence
100% testé contre les avalanches
●N-canal
●Très faible résistance à l'état passant Ros(on) @ Vcs=4,5 V
●Excellente charge de grille x produit Ros(on) (FOM)
●Qualifié selon JEDEC" pour les applications cibles
● Résistance thermique supérieure
● Placage sans plomb ;Conforme RoHS
● Sans halogène selon IEC61249-2-21
| Catégorie de produit: |
MOSFET |
|
CMS/CMS |
|
TSDSON-8 |
|
Canal N |
|
1 canal |
|
30V |
|
40 A |
|
7,3 mOhms |
|
- 20 V, + 20 V |
|
1V |
|
23 nC |
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- 55 C |
|
+ 150 C |
|
30W |
|
Renforcement |
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Bobine |
|
Couper le ruban |
| Configuration: |
Seul |
| Temps d'automne : |
2,4 ns |
| Transconductance directe - Min : |
26 S |
| Hauteur: |
1,1 mm |
| Longueur: |
3,3 millimètres |
| Type de produit: |
MOSFET |
| Temps de montée: |
2,8 ns |
| Série: |
OptiMOS 3M |
|
5000 |
| Sous-catégorie : |
MOSFET |
| Type de transistor : |
1 canal N |
| Délai de désactivation typique : |
16 ns |
| Délai de mise en marche typique : |
3,8 ns |
| Largeur: |
3,3 millimètres |
| Alias de référence : |
BSZ100N03MS G SP000311510 |
| Unité de poids: |
0,001367 oz |
Modèles de stock associés
| ADM213EARSZ-BOBINE |
37500 |
| CDD18532Q5B |
13180 |
| TPS54232DR |
25000 |
| SPC5607BF1VLU6R |
3000 |
| AD7490BCPZ |
800 |
Avantages de l'entreprise
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