Stockage de données magnétorésistant de mémoire de la mémoire à accès sélectif MRAM de MR0A08BCYS35 MRAM

Description de produit

Stockage de données magnétorésistant de mémoire de la mémoire MR0A08BCYS35 à accès sélectif (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35

AVANTAGES DE CARACTÉRISTIQUES

• Une mémoire remplace l'ÉCLAIR, le SRAM, l'EEPROM et le MRAM dans le système pour une conception plus simple et plus efficace

• Améliore la fiabilité en remplaçant SRAM soutenu par la batterie

• Alimentation d'énergie de 3,3 volts

• Rapidement cycle lecture/écriture de 35 NS

• Synchronisation compatible de SRAM

• Non volatilité indigène

• Lecture illimitée et écrire la résistance

• Données toujours non-volatiles pendant les années >20 à la température

• Les températures commerciales et industrielles

• Tous les produits atteignent le niveau de sensibilité d'humidité MSL-3

• Paquets RoHS-conformes de TSOP2 et de BGA

AVANTAGES

• Une mémoire remplace l'ÉCLAIR, le SRAM, l'EEPROM et le MRAM dans le système pour une conception plus simple et plus efficace

• Améliore la fiabilité en remplaçant SRAM soutenu par la batterie