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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégréMémoire à semiconducteurs S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interface parallèle instantanée
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface
S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface S29GL01GS10TFI010 Semiconductor Memory IC TSOP-56 1 Gbit Nor Flash Parallel Interface

Mémoire à semiconducteurs S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interface parallèle instantanée

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Original
Nom de marque: Original
Certification: ISO9001:2015standard
Numéro de modèle: S29GL01GS10TFI010
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10PCS
Prix: $12.5-16.5/PC
Détails d'emballage: Norme
Délai de livraison: 1-3workdays
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/months
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  • Détail Infomation
  • Description de produit

Détail Infomation
Style d'installation: SMD/SMT Paquet/cas: TSOP-56
Capacité de stockage: 1 Gbit Type de produit: NI instantané
Poids spécifique: 17.214g
Surligner:

S29GL01GS10TFI010 mémoire IC

,

TSOP-56 mémoire IC

,

Ni mémoire instantanée IC

Description de produit

Mémoire à semiconducteurs S29GL01GS10TFI010 IC NI parallèle de l'INSTANTANÉ 1G 3V 100NS NI circuits intégrés instantanés

 

Caractéristiques :

Capacité de la mémoire : 1 Gbit
Tension d'alimentation - minute : 2,7 V
Tension d'alimentation - maximum : 3,6 V
Type d'interface : Parallèle
Organisation : 64 M X 16
Largeur de bus de données : bit 16
Type de synchronisation : Asynchrone
Température de fonctionnement minimum : - 40 C
Température de fonctionnement maximum : + 85 C
Emballage : Plateau
Architecture : Éclipse
Type de mémoire : NI
Humidité sensible : Oui
Vitesse : 100 NS
Quantité de paquet d'usine : 910
Sous-catégorie : Mémoire et stockage de données
Courant d'approvisionnement - maximum : 60 mA

 

 

Caractéristiques distinctives

 

 CMOS noyau de 3,0 volts avec l'entrée-sortie souple

technologie d'éclipse de nanomètre MirrorBit du  65

approvisionnement simple de  (VCC) pour la lecture/programme/effacement (2,7 V à 3,6 V)

caractéristique souple d'entrée-sortie de  – grand choix de tension d'entrée-sortie (es) : 1,65 V à VCC

bus de données du  ×16

la page asynchrone de 32 octets de  a lu

 tampon de programmation de 512 octets – programmant dans des multiples de page, jusqu'à un maximum de 512 octets

mot simple de  et programme multiple en les mêmes options de mot

de contrôle d'erreurs automatique de  et correction (CCE) – CCE interne de matériel avec de correction d'erreurs à bit unique

effacement de secteur de  – uniforme 128 secteurs de K byte

le  suspendent et reprennent des commandes pour des opérations de programme et d'effacement.

Mémoire à semiconducteurs S29GL01GS10TFI010 IC TSOP-56 1 Gbit ni interface parallèle instantanée 0

 

 

 

 

Produit Tag:

SN74AC00DR 2 a entré Nand Gate

Puce de circuit intégré de SN74LV4040ADR

Portes logiques SN74AC00DR

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