Walton Electronics Co., Ltd.

Les circuits intégrés Rs-422 d'AM26C32IPWR Eletronic connectent la ligne puces électroniques de différence de quadruple d'IC de récepteur de Rcvr

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: original
Nom de marque: Original
Numéro de modèle: AM26C32IPWR
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10PCS
Prix: Contact us to win best price
Détails d'emballage: Norme
Délai de livraison: 1-3workdays
Conditions de paiement: L/C, T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/months
  • Détail Infomation
  • Description de produit

Détail Infomation

Description de produit: Circuit intégré de l'interface RS-422 Style d'installation: SMD/SMT
Paquet/cas: TSSOP-16 Série: AM26C32
Débit: 10 Mb/s Emballage: la bande/MouseReel bisannuels de coupe de bobine
Poids spécifique: mg 62
Surligner:

Circuits intégrés d'AM26C32IPWR

,

10 interface IC de Mb/s Rs-422

Description de produit

AM26C32 ligne différentielle quadruple récepteur

 

Caractéristiques 1

 

• Répond ou dépasse aux exigences de la recommandation V.10 et V.11 de la norme ANSI TIA/EIA-422-B, du TIA/EIA-423-B, et de l'UIT
• Puissance faible, ICC = 10 mA de typique

• chaîne de Commun-mode de ±7-V avec la sensibilité de ±200-mV
• Hystérésis d'entrée : 60 système mv typiques
• tpd = 17 NS typiques

• Fonctionne à partir d'un approvisionnement 5-V simple

• sorties 3-State
• Circuits de sécurité d'entrée
• Remplacements améliorés pour le dispositif AM26LS32
• Disponible dans le Q-Temp des véhicules à moteur


2 applications


• Applications des véhicules à moteur de Haut-fiabilité
• Automatisation industrielle
• Atmosphère et caisses
• Grille futée
• Commandes à C.A. et de moteur servo

 

Description 3

 

Le dispositif AM26C32 est une ligne différentielle quadruple récepteur pour la transmission de données numériques équilibrée ou non équilibrée. Permettez la fonction est commun à chacun des quatre récepteurs et offre un choix d'entrée à hauteur active ou actif-basse.

Les 3 sorties d'état permettent la connexion directement à un système busorganized. La conception de sécurité spécifie que si les entrées sont ouvertes, les sorties sont toujours hautes.

Les dispositifs AM26C32 sont fabriqués utilisant un processus de BiCMOS, qui est une combinaison des transistors bipolaires et de CMOS. Ce processus fournit à la haute tension et au courant de bipolaire la puissance faible du CMOS de ramener la puissance environ à un cinquième de cela de l'AM26LS32 standard, tout en maintenant la représentation à C.A. et de C.C.
L'information de dispositif (1)

 

 

Pin Functions

PIN

 

Entrée-sortie

 

DESCRIPTION

NOM

LCCC

SOIC, PDIP, AINSI, TSSOP, PCP, ou CDIP

1A

3

2

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (noninverting)

1B

2

1

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (inverser)

1Y

4

3

O

Sortie de niveau de logique

2A

8

6

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (noninverting)

2B

9

7

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (inverser)

2Y

7

5

O

Sortie de niveau de logique

3A

13

10

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (noninverting)

3B

12

9

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (inverser)

3Y

14

11

O

Sortie de niveau de logique

4A

18

14

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (noninverting)

4B

19

15

Je

Entrée RS422/RS485 différentielle (inverser)

4Y

17

13

O

Sortie de niveau de logique

G

5

4

Je

à hauteur active choisissez

G

15

12

Je

Actif-bas choisissez

LA terre

10

8

La terre

 

OR (1)

1

 

 

 

 

 

 

Ne reliez pas

6

11

16

VCC

20

16

Alimentation d'énergie

(1) OR – aucune connexion interne.

 

Caractéristiques

 

4,1 capacités absolues

sur la température ambiante fonctionnante de libre-air (sauf indication contraire) (1)
  MINUTE MAX UNITÉ
VCC tension d'alimentation (2) 7 V
VI tension d'entrée Entrées ou de B – 11 14

 

V

Entrées de G ou de G – 0,5 VCC + 0,5
Tension différentielle à l'entrée de VID – 14 14 V
Tension de sortie de Vo – 0,5 VCC + 0,5 V
Courant de sortie d'E/S ±25 mA
Température de stockage de Tstg -65 150 °C

(1) les efforts au delà de ceux énumérés sous des capacités absolues peuvent endommager permanent le dispositif. Ce sont des estimations d'effort seulement, qui n'impliquent pas l'opération fonctionnelle du dispositif à ces derniers ou d'aucune autre condition au delà de ceux indiqués dans des conditions de fonctionnement recommandées. L'exposition aux conditions absolu-maximum-évaluées pendant des périodes prolongées peut affecter la fiabilité de dispositif.

(2) toutes les valeurs de tension, excepté des tensions différentielles, sont en ce qui concerne le terminal à terre de réseau.

 

 

4,1 estimations d'ESD

  VALEUR UNITÉ

 

Décharge électrostatique de V (ESD)

Modèle de corps humain (HBM), par ANSI/ESDA/JEDEC JS- 001(1) ±3000

 

V

modèle de Charger-dispositif (CDM), par spécifications JESD22- C de JEDEC 101(2) ±2000

(1) le document JEP155 de JEDEC déclare que 500-V HBM permet la fabrication sûre avec un procédé standard de contrôle d'ESD.

(2) le document JEP157 de JEDEC déclare que 250-V CDM permet la fabrication sûre avec un procédé standard de contrôle d'ESD.

 

4,2 conditions de fonctionnement recommandées

sur la température ambiante fonctionnante de libre-air (sauf indication contraire)
  MINUTE NOM Max UNITÉ
VCC Tension d'alimentation   4,5 5 5,5 V
VIH Tension d'entrée de haut niveau   2   Vcc V
VIL Tension d'entrée de bas niveau   0   0,8 V
VIC tension d'entrée de Commun-mode   -7   +7 V
IOH Courant de sortie de haut niveau   – 6 mA
IOL Courant de sortie de bas niveau   6 mA

 

 

MERCI

 

 

La température fonctionnante de libre-air

AM26C32C 0   70

 

 

°C

AM26C32I – 40   85
AM26C32Q – 40   125
AM26C32M – 55   125

 

4,3 l'information de courant ascendant

 

MÉTRIQUE THERMIQUE (1)

AM26C32

 

UNITÉ

D (SOIC) N (PDIP) NS (AINSI) PICOWATT (TSSOP)
16 BORNES 16 BORNES 16 BORNES 16 BORNES
Résistance thermique Jonction-à-ambiante de RθJA 73 67 64 108 °C/W

(1) pour plus d'informations sur la métrique thermique traditionnelle et nouvelle, voyez le rapport thermique d'application de métrique de semi-conducteur et de paquet d'IC, SPRA953.

 

4,1 caractéristiques électriques

sur la température ambiante fonctionnante de libre-air (sauf indication contraire)
PARAMÈTRE CONDITIONS D'ESSAI MINUTE TYPE (1) Max UNITÉ
VIT+ Tension différentielle de haut-seuil d'entrée

Vo = VOH (minute), IOH = – 440

µA

VIC = – 7 V à 7 V 0,2

 

V

VIC = 0 V à 5,5 V 0,1
VIT- Tension différentielle de bas-seuil d'entrée Vo = 0,45 V, IOL = 8 mA VIC = – 7 V à 7 V – 0.2(2)

 

V

VIC = 0 V à 5,5 V – 0.1(2)
Vhys Tension d'hystérésis (VIT +− de VIT)   60 système mv
VIK Permettez la tension de bride d'entrée VCC = 4,5 V, II = – 18 mA – 1,5 V
VOH Tension de haut niveau de sortie VID = 200 système mv, IOH = – 6 mA 3,8 V
Vol. Tension de bas niveau de sortie VID = – 200 système mv, IOL = 6 mA   0,2 0,3 V
IOZ Courant de sortie hors état (d'état à grande impédance) Vo = VCC ou terre   ±0.5 ±5 µA
II

 

Ligne courant d'entrée

VI = 10 V, l'autre entrée à 0 V 1,5 mA
VI = – 10 V, l'autre entrée à 0 V – 2,5 mA
IIH Le niveau élevé permettent actuel VI = 2,7 V 20 μA
DÉFECTUOSITÉ De bas niveau permettez le courant VI = 0,4 V – 100 μA
ri Résistance d'entrée Une entrée à rectifier 12 17  
ICC Courant tranquille d'approvisionnement VCC = 5,5 V   10 15 mA

(1) toutes les valeurs typiques sont à VCC = 5 V, VIC = 0, et MERCI = 25°C.

(2) la convention algébrique, dans laquelle moins la limite de positif (plus négatif) est indiqué minimum, est employée en cette fiche technique pour la tension d'entrée commune de mode.

 

4,1 caractéristiques de changement

sur la température ambiante de fonctionnement de libre-air, CL = 50 PF (sauf indication contraire)

 

PARAMÈTRE

 

CONDITIONS D'ESSAI

AM26C32C AM26C32I AM26C32Q AM26C32M

 

UNITÉ

MINUTE TYPE (1) Max MINUTE TYPE (1) Max
tPLH Temps de retard de propagation, bas à la sortie de haut niveau

 

 

Voir le schéma 2

9 17 27 9 17 27 NS
tPHL Temps de retard de propagation, haut à la sortie de bas niveau 9 17 27 9 17 27 NS
tTLH Temps de transition de sortie, bas à la sortie de haut niveau

 

 

Voir le schéma 2

  4 9   4 10 NS
tTHL Temps de transition de sortie, haut à la sortie de bas niveau   4 9   4 9 NS
tPZH La sortie permettent le temps au niveau élevé

 

Voir le schéma 3

  13 22   13 22 NS
tPZL La sortie permettent le temps à de bas niveau   13 22   13 22 NS
tPHZ Temps de débronchement de sortie de niveau élevé

 

Voir le schéma 3

  13 22   13 26 NS
tPLZ Temps de débronchement de sortie de bas niveau   13 22   13 25 NS

(1) toutes les valeurs typiques sont à VCC = 5 V, MERCI = 25°C.

 

Prenez contact avec nous

Entrez votre message

Vous pourriez être dans ces