Parallèle du stockage de données NVRAM 512kx8 de la mémoire IC de DS1250Y-70IND+

Description de produit

Original parallèle du stockage de données NVRAM de la mémoire IC de DS1250Y-70IND+

CARACTÉRISTIQUES
10 ans de conservation minimum de données dans le theabsence de l'alimentation externe
Des données sont automatiquement protégées pendant la perte de puissance
Remplace 512k X 8 MÉMOIRE RAM statique volatile, EEPROM ou mémoire instantanée
Illimité écrivez les cycles
CMOS de basse puissance
Lecture et des temps d'accès en écriture de 70ns
La source d'énergie de lithium est électriquement déconnectée pour maintenir la fraîcheur jusqu'à ce que soit mis sous tension pour la première fois
Complètement plage de fonctionnement VCC de ±10% (DS1250Y)
Plage de fonctionnement VCC facultative de ±5% (DS1250AB)
La température ambiante industrielle facultative de -40°C à +85°C, a indiqué l'Ind
Paquet d'IMMERSION de goupille de la norme 32 de JEDEC
Paquet du module de PowerCap (PCM)
- Module directement surface-montable
- PowerCap détachable remplaçable fournit la batterie de secours de lithium
- Pinout normalisé pour tous les produits non-volatiles de SRAM
- La caractéristique de détachement sur le PCM permet le retrait facile utilisant un tournevis régulier