Description de produit
Original bipolaire des transistors SI de MRF9045LR1TRANSISTORS rf en stock
L'ASI MRF9045LR1 est une haute tension, or-métallisée,
semiconducteur métal oxyde latéralement diffus. Idéal pour d'aujourd'hui
Applications d'amplificateur de puissance de rf.
|
Transistors de transistor MOSFET de rf |
| RoHS : |
Détails |
|
N-canal |
|
SI |
|
4,25 A |
|
65 V |
|
945 mégahertz |
|
DB 18,8 |
|
60 W |
|
SMD/SMT |
|
NI-360 |
|
Plateau |
| Configuration : |
Simple |
| Transconductance en avant - minute : |
3 S |
| Palladium - dissipation de puissance : |
117 W |
| Type de produit : |
Transistors de transistor MOSFET de rf |
| Sous-catégorie : |
Transistors MOSFET |
| Type : |
Transistor MOSFET de puissance de rf |
| Vgs - tension de Porte-source : |
15 V |
| Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : |
4,8 V |
| Poids spécifique : |
0,032480 onces |
Deux typiques•
−
Tone Performance à 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique 40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance à 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique 40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance à 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique 40
′ de ′ de μ
Nomin
•
Deux typiques
−
Tone Performance à 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique 40
′ de ′ de μ
Nomin
MRF9045LR1 MRF9045LSR1
5
−
1
Données de dispositif RF
Semi-conducteur de Freescale
Transistors à effet de champ de puissance de rf
N
−
Amélioration de la Manche
−
Transistors MOSFET latéraux de mode
Conçu
pour des applications commerciales et industrielles à bande large avec le frequen-
cies jusqu'à 1000 mégahertz. Haut GA
dans et représentation à bande large de ces derniers
les dispositifs les rendent idéaux pour grand
−
signal, commun
−
applica- d'amplificateur de source
tions dans l'équipement de station de base de 28 volts.
•
Deux typiques
−
Tone Performance à 945 mégahertz, 28 volts
De puissance de sortie — 45 watts de PEP
Gain en puissance — DB 18,8
Efficacité — 42%
IMD —
−
dBc 32
•
Protection intégrée d'ESD
•
Conçu pour la planéité maximum de phase de gain et d'insertion
•
Capable de manipuler le 10:1 VSWR, @ 28 volts continu, 945 mégahertz, 45 watts d'onde entretenue
De puissance de sortie
•
Excellente stabilité thermique
•
Caractérisé avec l'équivalent de série grand
−
Paramètres d'impédance de signal
•
Dans la bande et la bobine. Suffixe R1 = 500 unités par 32 millimètres, bobine de 13 pouces.
•
Basse épaisseur de placage à l'or sur des avances. L suffixe indique 40
′ de ′ de μ
Non
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