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Aperçu ProduitsPuce d'IC de transistorTransistor MOSFET discret IC de semi-conducteurs de la puce CA3020A TGS2600 d'IC de transistor d'IRFB3207ZPBF
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC
IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC IRFB3207ZPBF Transistor IC Chip CA3020A TGS2600 Discrete Semiconductors MOSFET IC

Transistor MOSFET discret IC de semi-conducteurs de la puce CA3020A TGS2600 d'IC de transistor d'IRFB3207ZPBF

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Original
Nom de marque: Original
Certification: ISO9001:2015standard
Numéro de modèle: IRFB3207ZPBF
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10pcs
Prix: Contact us to win best offer
Détails d'emballage: Norme
Délai de livraison: 1-3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, Western Union, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000 mois de PCs
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  • Détail Infomation
  • Description de produit

Détail Infomation
Montage du style: Par le trou Paquet/cas: TO-220-3
Polarité de transistor: N-canal Nombre de canaux: 1 canal
Vds - tension claque de Drain-source: 75 V Id - Courant de drain continu: 170 A
Surligner:

Puce d'IC de transistor d'IRFB3207ZPBF

,

Puce d'IC de transistor de transistor MOSFET

,

Par l'OEM de transistor MOSFET IC de trou

Description de produit

Semi-conducteurs discrets des transistors CA3020A TGS2600 de transistor MOSFET d'IRFB3207ZPBF

 

Applications

  • Rectification synchrone de rendement élevé dans SMPS
  • Alimentation d'énergie non interruptible
  • Commutation à grande vitesse de puissance
  • Circuits dur commutés et à haute fréquence

Avantages

 

  • Porte améliorée, avalanche et rugosité dynamique de dv/dt
  • Capacité entièrement caractérisée et avalanche SOA
  • Diode augmentée dV/dt de corps et capacité de dI/dt
  • Sans plomb
  • RoHS conforme, sans halogène

 

 

Transistor MOSFET discret IC de semi-conducteurs de la puce CA3020A TGS2600 d'IC de transistor d'IRFB3207ZPBF 0

 

Transistor MOSFET
SI
3,3 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
120 OR
- 55 C
+ 175 C
300 W
Amélioration
Tube
Configuration : Simple
Taille : 15,65 millimètres
Longueur : 10 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Quantité de paquet d'usine : 1000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Largeur : 4,4 millimètres
Partie # noms d'emprunt : IRFB3207ZPBF SP001575584
Poids spécifique : 0,068784 onces

 

 

 

 

Produit Tag:

Semi-conducteur discret 625mW

puce d'IC du transistor 2N3439

de BJT transistors MPS6560 bipolaires

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