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Aperçu ProduitsPuce d'IC de transistorLa Manche 600V de la puce N d'IC de transistor de transistor MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V
FCB36N60NTM SMD SMT MOSFET Transistor IC Chip N Channel 600V

La Manche 600V de la puce N d'IC de transistor de transistor MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: Original
Nom de marque: original
Certification: ISO9001:2015standard
Numéro de modèle: FCB36N60NTM
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10pcs
Prix: 3-5.00USD/pc
Détails d'emballage: Tube, bobine, plateau
Délai de livraison: 2 ou 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, Western Union, PayPay
Capacité d'approvisionnement: 1000PCS/Months
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  • Détail Infomation
  • Description de produit

Détail Infomation
Polarité de transistor: La Manche de N Nombre de canaux: La 1 Manche
Vds - Tension de claquage drain-source: 600V Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 90 mOhms
Palladium - dissipation de puissance: 312 W Configuration: Simple
Surligner:

Puce d'IC de transistor de FCB36N60NTM

,

Transistor de transistor MOSFET de FCB36N60NTM

,

La Manche 600V du transistor N de transistor MOSFET

Description de produit

Original discret de semi-conducteurs de transistors de transistor MOSFET de FCB36N60NTM

 

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
Technologie : SI
Montage du style : SMD/SMT
Paquet/cas : SC-70-3
Polarité de transistor : N-canal
Nombre de canaux : La 1 Manche
Vds - tension claque de Drain-source : 600 V
Identification - courant continu de drain : 36 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source : 90 mOhms
Vgs - tension de Porte-source : - 30 V, + 30 V
Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source : 4 V
Qg - charge de porte : 112 OR
Température de fonctionnement minimum : - 55 C
Température de fonctionnement maximum : + 150 C
Palladium - dissipation de puissance : 312 W
Mode de la Manche : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupez la bande
Emballage : MouseReel
Configuration : Simple
Temps de chute : 4 NS
Transconductance en avant - minute : 41 S
Taille : 4,83 millimètres
Longueur : 10,67 millimètres
Type de produit : Transistor MOSFET
Temps de montée : 22 NS
Série : FCB36N60N
Quantité de paquet d'usine : 800
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Temps de retard d'arrêt typique : 94 NS
Temps de retard d'ouverture typique : 23 NS
Largeur : 9,65 millimètres
Poids spécifique : 4 g

 

La Manche 600V de la puce N d'IC de transistor de transistor MOSFET de FCB36N60NTM SMD SMT 0

Produit Tag:

Semi-conducteur discret 625mW

puce d'IC du transistor 2N3439

de BJT transistors MPS6560 bipolaires

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