Puces de mémoire de SRAM 2Mb EMMC 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V

Description de produit

IS61LV2568L-10T SMD/SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

CARACTÉRISTIQUES

• Temps d'accès haut débit : 8, 10 NS

• Actuel d'opération : 50mA (type.)

• Courant de réserve : 700µA (type.)

• Goupilles centrales multiples de puissance et de terre pour une plus grande immunité de bruit

• Ajout de mémoire facile avec des options de la CE et d'OE

• Puissance-vers le bas de la CE

• Entrées et sorties compatibles de TTL

• Alimentation de l'énergie 3.3V simple

• Paquets disponibles : – borne 36 SOJ de 400 mils – 44 goupille TSOP (type II)

• Disponible sans plomb

DESCRIPTION

L'ISSI IS61LV2568L est une puissance faible très ultra-rapide et, le mot 262 144 par CMOS à 8 bits MÉMOIRE RAM statique. L'IS61LV2568L est fabriqué utilisant la technologie performante du CMOS d'ISSI.

Ce processus fortement fiable ajouté aux techniques de conception innovatrices de circuit, rapporte des dispositifs de consommation de plus haute performance et de puissance faible. Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel la dissipation de puissance peut être réduite vers le bas à 36mW (maximum) avec des niveaux saisie de CMOS.

L'IS61LV2568L fonctionne à partir d'une alimentation de l'énergie 3.3V simple et toutes les entrées sont TTL-compatibles. L'IS61LV2568L est disponible dans 36 la borne SOJ de 400 mils et 44 la goupille TSOP (type paquets d'II).