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April 28, 2022
Transistors complémentaires de Darlington de puissance de basse tension
CARACTÉRISTIQUES
• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur
• NPN complémentaire - transistors de PNP
Application
• Linéaire d'usage universel et changement
Description
Les dispositifs sont fabriqués en technologie planaire avec la disposition « d'île basse » et la configuration monolithique de Darlington. Les transistors en résultant montrent la représentation à gain élevé exceptionnelle ajoutés à la tension de saturation très basse.
| Darlington Transistors | |
| RoHS : | Détails |
| Simple | |
| PNP | |
| 100 V | |
| 5 V | |
| 100 V | |
| 5 A | |
| 200 uA | |
| Par le trou | |
| TO-220-3 | |
| + 150 C | |
| TIP127 | |
| Tube | |
| Collecteur de C.C/minute de référence de hfe de gain : | 1000 |
| Taille : | 9,15 millimètres |
| Longueur : | 10,4 millimètres |
| Type de produit : | Darlington Transistors |
| Quantité de paquet d'usine : | 1000 |
| Sous-catégorie : | Transistors |
| Largeur : | 4,6 millimètres |
| Poids spécifique : | 6 g |
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